Экзаменационные вопросы первого семестра 2002/2003 учебного года по дисциплине «Электронная техника» для специальностей

2004 «Сети связи и системы коммутации», 2005 «Многоканальные телекоммуникационные системы», 2006 «Радиосвязь, радиовещание и телевидение», 2009 «Эксплуатация средств связи»

Преподаватель Жукова Елена Леонидовна

1. История развития электронных приборов.
2. Электропроводность твердого тела (определение проводника, полупроводника и диэлектрика, энергетические уровни, энергетические зоны).
3. Типы электропроводности полупроводников (элементы IV группы периодической таблицы Д.И.Менделеева, определение идеального проводника, структура кристаллической решетки полупроводника).
4. Примесный полупроводник (приемы повышения электропроводности полупроводников, определение основных и не основных носителей зарядов, определение донорных, акцепторных и скомпенсированных полупроводников).
5. Примесный полупроводник типа n (определение, кристаллическая решетка, энергетическая диаграмма)
6. Примесный полупроводник типа p (определение, кристаллическая решетка, энергетическая диаграмма)
7. Электронно-дырочный переход (определение, структура, классификация).
8. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) примесного полупроводника (определение, основные электрические параметры, определяемые ВАХ, явления электрического и теплового пробоя).
9. Равновесное состояние электронно-дырочного перехода (определение, структура, физические процессы, расчет тока протекающего через p-n переход).
10. Прямое включение электронно-дырочного перехода (определение, структура, физические процессы, расчет тока протекающего через p-n переход).
11. Обратное включение электронно-дырочного перехода (определение, структура, физические процессы, расчет тока протекающего через p-n переход).
12. Переход металл-полупроводник (определение, структура, физические процессы, характерные особенности, область применения).
13. Выпрямительный диод (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, вольт-амперная характеристика, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
14. Полупроводниковый стабилитрон (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, вольт-амперная характеристика, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
15. Варикап (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, типовая характеристика, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
16. Туннельный диод (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, вольт-амперная характеристика, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
17. Диод-Шотки (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, вольт-амперная характеристика, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
18. Высокочастотный выпрямительный диод (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, вольт-амперная характеристика, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
19. Импульсный диод (определение, структура и УГО (условное графическое обозначение), свойство, временные диаграммы, основные электрические параметры, схема включения, область применения).
20. Биполярный транзистор (определение, структура и УГО, физические процессы, режимы работы).
21. Схема включения биполярного транзистора с ОБ (схема, основные электрические параметры, их расчетные формулы и характерные особенности.)
22. Схема включения биполярного транзистора с ОЭ (схема, основные электрические параметры, их расчетные формулы и характерные особенности.)
23. Схема включения биполярного транзистора с ОК (схема, основные электрические параметры, их расчетные формулы и характерные особенности.)
24. Статические характеристики биполярных транзисторов (определения, входные и выходные ВАХ для схем включения биполярных транзисторов).
25. Влияние температуры и элементного вещества на ВАХ биполярных транзисторов в схемах с ОБ и с ОЭ (ВАХ, определение нагрузочной прямой и РТ (рабочей точки), зависимость положения РТ от температуры и элементного материала).
26. Система h-параметров биполярных транзисторов (эквивалентная схема биполярного транзистора, активный четырехполюсник, система h-параметров, расчетные формулы).
27. Полевые транзисторы (определение, типы, схемы включения, основные элетрические параметры).
28. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (определение, структура, типы, стоковая, стоко-затворная характеристика, схемы включения и режимы работы).
29. Полевой транзистор и изолированным затвором встроенным каналом (определение, структура, типы, стоковая, стоко-затворная характеристика, схемы включения и режимы работы).
30. Полевой транзистор и изолированным затвором индуцированным каналом (определение, структура, типы, стоковая, стоко-затворная характеристика, схемы включения и режимы работы).