Основные электрические параметры комплементарных транзисторов большой мощности (биполярные)

Тип транзистора	Структура транзистора	Fгр, МГц	Максимально допустимые значения					tпер, ºС	h21э min	h21э max	UКЭ нас, В	IКБо, мА	СКmax, пФ	Rпер-окр, ºС/Вт	Rпер-кор, ºС/Вт
			Pk max, мВт	Pk max т, мВт	UКБ max, В	UКЭ max, В	IК max, А
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15	16
КТ814А	p-n-p, хар	3	1	10	40	25	1,5	125	40	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ815А	n-p-n, хар	3	1	10	40	25	1,5	125	40	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ814Б	p-n-p, хар	3	1	10	50	40	1,5	125	40	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ815Б	n-p-n, хар	3	1	10	50	40	1,5	125	40	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ814В	p-n-p, хар	3	1	10	70	60	1,5	125	40	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ815В	n-p-n, хар	3	1	10	70	60	1,5	125	40	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ814Г	p-n-p, хар	3	1	10	100	80	1,5	125	30	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ815Г	n-p-n, хар	3	1	10	100	80	1,5	125	30	-	0,6	0,05	60	100	10
КТ816А	p-n-p, хар	3	1	20	40	25	3	125	20	-	1	0,1	60	100	5
КТ817А	n-p-n, хар	3	1	20	40	25	3	125	20	-	1	0,1	60	100	5
КТ816Б	p-n-p, хар	3	1	20	50	40	3	125	20	-	1	0,1	60	100	5
КТ817Б	n-p-n, хар	3	1	20	50	40	3	125	20	-	1	0,1	60	100	5
КТ816В	p-n-p, хар	3	1	20	70	60	3	125	20	-	1	0,1	60	100	5
КТ817В	n-p-n, хар	3	1	20	70	60	3	125	20	-	1	0,1	60	100	5
КТ816Г	p-n-p, хар	3	1	20	100	80	3	125	15	-	1	0,1	60	100	5
КТ817Г	n-p-n, хар	3	1	20	100	80	3	125	15	-	1	0,1	60	100	5
КТ818А	p-n-p, хар	3	1,5	60	40	25	10	125	15	-	2	1	-	66	1,7
КТ819А	n-p-n, хар	3	1,5	60	40	25	10	125	15	-	2	1	-	66	1,7
КТ818Б	p-n-p, хар	3	1,5	60	50	40	10	125	20	-	2	1	-	66	1,7
КТ819Б	n-p-n, хар	3	1,5	60	50	40	10	125	20	-	2	1	-	66	1,7
КТ818В	p-n-p, хар	3	1,5	60	70	60	10	125	15	-	2	1	-	66	1,7
КТ819В	n-p-n, хар	3	1,5	60	70	60	10	125	15	-	2	1	-	66	1,7
КТ818Г	p-n-p, хар	3	1,5	60	90	80	10	125	12	-	2	1	-	66	1,7
КТ819Г	n-p-n, хар	3	1,5	60	90	80	10	125	12	-	2	1	-	66	1,7
КТ818АМ	p-n-p, хар	3	2	100	40	25	15	125	15	-	2	1	-	50	1
КТ819АМ	n-p-n, хар	3	2	100	40	25	15	125	15	-	2	1	-	50	1
КТ818БМ	p-n-p, хар	3	2	100	50	40	15	125	20	-	2	1	-	50	1
КТ819БМ	n-p-n, хар	3	2	100	50	40	15	125	20	-	2	1	-	50	1
КТ818ВМ	p-n-p, хар	3	2	100	70	60	15	125	15	-	2	1	-	50	1
КТ819ВМ	n-p-n, хар	3	2	100	70	60	15	125	15	-	2	1	-	50	1
КТ818ГМ	p-n-p, хар	3	2	100	90	80	15	125	12	-	2	1	-	50	1
КТ819ГМ	n-p-n, хар	3	2	100	90	80	15	125	12	-	2	1	-	50	1

Основные электрические параметры комплементарных транзисторов средней мощности (биполярные)

Тип транзистора	Структура транзистора	Fгр, МГц	Максимально допустимые значения					tпер, ºС	h21э min	h21э max	UКЭ нас, В	IКБо, мА	СКmax, пФ	Rпер-окр, ºС/Вт	Rпер-кор, ºС/Вт
			Pk max, мВт	Pk max т, мВт	UКБ max, В	UКЭ max, В	IК max, А
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15	16
КТ502А	p-n-p	5	0,35	-	40	25	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ503А	n-p-n	5	0,35	-	40	25	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ502Б	p-n-p	5	0,35	-	40	25	0,15	150	80	240	0,6	-	50	330	-
КТ503Б	n-p-n	5	0,35	-	40	25	0,15	150	80	240	0,6	-	50	330	-
КТ502В	p-n-p	5	0,35	-	60	40	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ503В	n-p-n	5	0,35	-	60	40	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ502Г	p-n-p	5	0,35	-	60	40	0,15	150	80	240	0,6	-	50	330	-
КТ503Г	n-p-n	5	0,35	-	60	40	0,15	150	80	240	0,6	-	50	330	-
КТ502Д	p-n-p	5	0,35	-	80	60	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ503Д	n-p-n	5	0,35	-	80	60	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ502Е	p-n-p	5	0,35	-	90	80	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
КТ503Е	n-p-n	5	0,35	-	100	80	0,15	150	40	120	0,6	-	50	330	-
ГТ402Д	p-n-p	0,83	0,6	4	-	25	0,5	85	30	80	0,5	0,025	-	100	15
ГТ404А	n-p-n	0,83	0,6	4	-	25	0,5	85	30	80	0,5	0,025	-	100	15
ГТ402Е	p-n-p	0,83	0,6	4	-	25	0,5	85	60	150	0,5	0,025	-	100	15
ГТ404Б	n-p-n	0,83	0,6	4	-	25	0,5	85	60	150	0,5	0,025	-	100	15
ГТ402Ж	p-n-p	0,83	0,6	4	-	40	0,5	85	30	80	0,5	0,025	-	100	15
ГТ404В	n-p-n	0,83	0,6	4	-	40	0,5	85	30	80	0,5	0,025	-	100	15
ГТ402И	p-n-p	0,83	0,6	4	-	40	0,5	85	60	150	0,5	0,025	-	100	15
ГТ404Г	n-p-n	0,83	0,6	4	-	40	0,5	85	60	150	0,5	0,025	-	100	15

Основные электрические параметры некоторых типов транзисторов средней и большой мощности (биполярные)

Тип транзистора	Структура транзистора	Fгр, МГц	Максимально допустимые значения					tпер, ºС	h21э min	h21э max	UКЭ нас, В	IКБо, мА	СК max, пФ	Rпер-окр, ºС/Вт	Rпер-кор, ºС/Вт
			Pk max, мВт	Pk max т, мВт	UКБ max, В	UКЭ max, В	IК max, А
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15	16
П605А	p-n-p	30	0,5	3	45	40	1	85	50	120	2	2	130	50	15
П606А	p-n-p	30	0,3	3	35	25	1	85	50	120	2	2	130	85	15
П607А	p-n-p	60	-	1,5	30	25	0,3	85	60	200	2	0,3	50	-	30
П608А	p-n-p	90	-	1,5	30	25	0,3	85	80	240	2	0,3	500	-	30
П609А	p-n-p	120	-	1,5	30	25	0,3	85	80	240	2	0,3	50	-	30
П609Б	p-n-p	120	-	1,5	50	40	0,5	85	80	240	2	0,5	50	-	30
КТ601А	n-p-n	40	0,25	0,5	100	100	0,03	80	10	300	2	0,005	15	40	15
КТ602А	n-p-n	150	0,85	2,8	120	100	0,075	120	20	80	3	0,07	4	150	45
КТ602В	n-p-n	150	0,85	2,8	80	70	0,075	120	15	80	3	0,07	4	150	45
КТ603В	n-p-n	200	0,5	-	15	15	0,3	120	10	80	0,7	0,01	15	200	40
КТ604Б	n-p-n	80	0,8	3	300	250	0,2	150	30	120	8	0,1	7	150	40
КТ611А	n-p-n	60	0,8	3	200	180	0,1	150	10	40	8	0,1	5	150	40
КТ610А	n-p-n	1000	1,5	3	26	26	0,3	150	50	300	8	0,5	4,1	260	100
КТ611Б	n-p-n	60	0,8	3	20	180	0,1	150	30	120	8	0,1	5	150	40
КТ611В	n-p-n	60	0,8	3	180	150	0,1	150	10	40	8	0,1	5	150	40
КТ611Г	n-p-n	60	0,8	3	180	150	0,1	150	30	120	8	0,1	5	150	40
КТ616Б	n-p-n	200	0,3	1	20	20	0,4	150	25	70	0,6	0,015	15	266	-
КТ639В	p-n-p	80	-	1	-	45	1,5	150	100	250	0,5	10-4	50	-	100
КТ639Г	p-n-p	80	-	1	-	60	1,5	150	40	100	0,5	10-4	50	-	100
КТ639Д	p-n-p	80	-	1	-	60	1,5	150	63	120	0,5	10-4	50	-	100
КТ644А	p-n-p	200	-	1	-	60	0,6	150	40	120	0,4	10-4	8	-	100
КТ644Б	p-n-p	200	-	1	-	60	0,6	150	100	300	0,4	10-4	8	-	100
П701	n-p-n	7,5	1	10	40	40	0,5	150	10	40	7	0,1	50	85	10
П701А	n-p-n	7,5	1	10	60	60	0,5	150	15	60	7	0,1	50	85	10
КТ802А	n-p-n	10	-	50	150	130	5	15	15	35	3,5	0,6	-	-	2,5
КТ803А	n-p-n	20	-	60	80	60	10	150	10	70	2,5	0,5	-	-	1,66
КТ805А	n-p-n	20	3	30	180	160	5	150	15	50	2,5	0,1	-	30	3,3
ГТ806А	p-n-p	6	2	30	75	75	15	85	10	100	0,6	1,5	-	3	2
ГТ806Б	p-n-p	6	2	30	100	100	15	85	10	100	0,6	1,5	-	30	2
ГТ806В	p-n-p	6	2	30	120	120	15	85	10	100	0,6	1,5	-	30	2
ГТ806Г	p-n-p	6	2	30	50	50	15	85	10	100	0,6	1,5	-	30	2
ГТ806Д	p-n-p	6	2	30	140	140	15	85	10	100	0,6	1,5	-	30	2
КТ807А	n-p-n	3	-	10	100	100	0,5	120	15	45	1	0,25	-	-	8
КТ807Б	n-p-n	3	-	10	100	100	0,5	120	30	100	1	0,25	-	-	8
КТ808А	n-p-n	7	5	50	-	120	10	150	10	50	2,5	0,3	500	20	2
КТ809А	n-p-n	5,5	-	40	-	400	3	150	15	100	1,5	0,3	270	-	2,5
КТ812В	n-p-n	11	-	50	200	200	8	130	20	125	1,6	0,5	175	100	100
КТ903А	n-p-n	35	-	30	60	60	3	115	15	70	2,5	0,6	18	-	3,33
КТ904Б	n-p-n	50	5	30	60	60	0,8	120	10	60	0,6	-	12	-	16
КТ920Б	n-p-n	-	10	-	36	36	1	150	40	-	0,4	-	25	-	10
КТ922Г	n-p-n	-	20	-	-	65	1,5	160	50	-	0,4	-	15	-	6
КТ940А	n-p-n	-	1,2	10	300	300	-	15	25	-	0,5	0,05	4,2	104	10

Основные электрические параметры транзисторов малой мощности (биполярные)

Тип транзистора	Структура транзистора	Fгр, МГц	h21э min	h21э max	Максимально допустимые значения					IКбо, мкА	СК max, пФ	rб, Ом	Rпер-окр, ºС/мВт
					Pk max, мВт	UКБ max, В	UКЭ max, В	IК max, мА	tпер, ºС
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14
КТ301А	p-n-p	60	40	120	150	20	20	10	120	10	10	200	0,6
КТ310	n-p-n	5	60	180	20	12	10	10	75	0,5	4	300	2
КТ312А	p-n-p	80	10	100	225	20	20	30	115	10	5	100	0,25
КТ312В	n-p-n	120	50	280	225	20	20	30	115	10	5	100	0,25
КТ315Б	n-p-n	250	50	350	150	15	15	100	120	1	7	70	0,67
КТ315В	n-p-n	250	20	90	150	30	30	100	120	1	7	70	0,67
КТ316В	n-p-n	120	40	120	150	10	10	30	150	0,5	3	70	0,6
КТ320А	p-n-p	80	20	80	200	20	15	150	90	10	8	70	0,225
КТ320Б	p-n-p	120	50	160	200	20	15	150	90	10	8	70	0,225
КТ325Б	n-p-n	250	70	210	225	15	15	30	150	0,5	2,5	70	0,6
КТ339	n-p-n	250	25	1	260	40	25	25	175	2	2	70	0,6
КТ350А	p-n-p	100	20	200	200	20	15	100	150	1	70	50	0,6
КТ352Б	p-n-p	100	70	300	200	20	15	100	150	1	15	50	0,6
КТ358А	n-p-n	80	10	100	200	15	15	30	120	10	5	50	0,6
КТ361Г	p-n-p	200	20	90	150	35	35	50	120	0,5	7	50	0,67
КТ368А	n-p-n	300	50	300	225	15	15	30	150	0,5	1,7	50	0,67
КТ373А	n-p-n	300	100	250	150	30	30	50	150	0,05	8	50	0,6
КТ373Г	n-p-n	300	50	125	150	60	60	50	150	0,05	8	50	0,6
КТ392	n-p-n	300	40	180	120	40	40	10	125	6	2,5	50	0,67

Информационная поддержка: Миняев А.Р., Пузыревский И.А., Жукова Е.Л., Лысенко Д.Г.
© 2011. Все права защищены.